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常用電容器知識總結
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  一、鋁電解電容器

  用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成,薄的化氧化膜作介質的電容器.因為氧化膜有單向導電性質,所以電解電容器具有極性.容量大,能耐受大的脈動電流,容量誤差大,泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。

  電容量:0.47~10000u
  額定電壓:6.3~450V
  主要特點:體積小,容量大,損耗大,漏電大
  應用:電源濾波,低頻耦合,去耦,旁路等

  二、鉭電解電容器(CA)鈮電解電容(CN)

  用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優于普通電解電容器,特別是漏電流極小,貯存性良好,壽命長,容量誤差小,而且體積小,單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差,若損壞易呈短路狀態超小型高可靠機件中。

  電容量:0.1~1000u
  額定電壓:6.3~125V
  主要特點:損耗、漏電小于鋁電解電容
  應用:在要求高的電路中代替鋁電解電容

  三、薄膜電容器

  結構與紙質電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路。

  1、聚酯(滌綸)電容(CL)
  電容量:40p~4u
  額定電壓:63~630V
  主要特點:小體積,大容量,耐熱耐濕,穩定性差
  應用:對穩定性和損耗要求不高的低頻電路

  2、聚苯乙烯電容(CB)

  電容量:10p~1u
  額定電壓:100V~30KV
  主要特點:穩定,低損耗,體積較大
  應用:對穩定性和損耗要求較高的電路

  3、聚丙烯電容(CBB)

  電容量:1000p~10u
  額定電壓:63~2000V
  主要特點:性能與聚苯相似但體積小,穩定性略差
  應用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路

  四、瓷介電容器

  穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用不能做成大的容量,受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。

  1、高頻瓷介電容(CC)
  電容量:1~6800p
  額定電壓:63~500V
  主要特點:高頻損耗小,穩定性好
  應用:高頻電路

  2、低頻瓷介電容(CT)

  電容量:10p~4.7u
  額定電壓:50V~100V
  主要特點:體積小,價廉,損耗大,穩定性差
  應用:要求不高的低頻電路

  五、獨石電容器

  (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一次繞結成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器,高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能,體積極小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。

  容量范圍:0.5PF~1UF
  耐壓:二倍額定電壓。
  電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定,耐高溫耐濕性好等。
  應用范圍:廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。

  六、紙質電容器

  一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量。
  一般在低頻電路內,通常不能在高于3~4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高,穩定性也好,適用于高壓電路。

  七、微調電容器

  電容量可在某一小范圍內調整,并可在調整后固定于某個電容值。瓷介微調電容器的Q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。云母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。 線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的,故容量只能變小,不適合在需反復調試的場合使用。

  1、空氣介質可變電容器
  可變電容量:100~1500p
  主要特點:損耗小,效率高;可根據要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數式等
  應用:電子儀器,廣播電視設備等

  2、薄膜介質可變電容器

  可變電容量:15~550p
  主要特點:體積小,重量輕;損耗比空氣介質的大
  應用:通訊,廣播接收機等

  3、薄膜介質微調電容器
  可變電容量:1~29p
  主要特點:損耗較大,體積小
  應用:收錄機,電子儀器等電路作電路補償

  4、陶瓷介質微調電容器
  可變電容量:0.3~22p
  主要特點:損耗較小,體積較小
  應用:精密調諧的高頻振蕩回路

  八、陶瓷電容器

  用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器,用于高穩定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。

  九、玻璃釉電容器(CI)

  由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成,介質再以銀層電極經燒結而成"獨石"結構性能可與云母電容器媲美,能耐受各種氣候環境,一般可在200℃或更高溫度下工作,額定工作電壓可達500V,損耗tgδ0.0005~0.008

  電容量:10p~0.1u
  額定電壓:63~400V
  主要特點:穩定性較好,損耗小,耐高溫(200度)
  應用:脈沖、耦合、旁路等電路


 

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